https://hdl.handle.net/11185/964 Wed, 22 Apr 2026 21:47:29 GMT 2026-04-22T21:47:29Z https://hdl.handle.net/11185/5798 Caracterización óptica de películas delgadas mediante interferometría holográfica Balducci, Diego Mario Nicolás El objetivo es medir espesores de películas delgadas del orden de fracciones de la longitud de onda del láser utilizado, y lograr la reconstrucción tridimensional de las superficies como una imagen del contraste de fase a través del desarrollo de algoritmos de procesamiento de los hologramas digitales. Para el desarrollo del trabajo experimental, en una primera etapa se utilizó una muestra que contiene una película de plata depositada sobre silicio cristalino, de espesor conocido. Se aplicó la técnica de microscopía holográfica digital a dicha muestra, para obtener imágenes del diagrama de fases. La segunda etapa consistió en determinar la distancia focal optima, con tolerancias del orden de la décima de milímetro, situando la cámara (plano imagen) a diferentes distancias de la muestra (plano objeto) y analizando diferentes operadores de medición de foco. En la tercera etapa se desarrolló la corrección de las principales aberraciones ópticas presentes en el diagrama de fases por métodos de procesamiento numérico. Una vez cumplidos los tres pasos anteriores se procedió a obtener hologramas de la muestra de referencia. Se obtuvieron mediciones del espesor del depósito de plata de aproximadamente 160 nanómetros, con una tolerancia de 10 nanómetros . Por último se tomaron hologramas de una muestra que contiene una película delgada de óxido de silicio sobre silicio cristalino. Las imágenes de fases procesadas arrojaron espesores del óxido de silicio de aproximadamente 90 nanómetros, con una tolerancia de 10 nanómetros, obteniéndose también gráficas de los perfiles de la superficie y gráficas tridimensionales de la topografía superficial.; The objective is to measure thin film thicknesses on the order of fractions of the wavelength of the laser used, and achieve three-dimensional reconstruction of surfaces as a phase contrast image through the development of digital hologram processing algorithms. In a first stage a sample containing a silver film deposited on crystalline silicon was used, known thickness from measurements made in previous work. The digital holographic microscopy technique was applied to said sample, to get images of the phase diagram. The second stage consisted of determining the optimal focal length, with tolerances on the order of a tenth of a millimeter, placing the camera (image plane) at different distances from the sample (object plane) and analyzing different focus measurement operators using algorithms. In the third stage, the correction of the main optical aberrations in the phase diagram was developed by numerical processing methods. Once the three previous steps had been completed, holograms of the reference sample were obtained. Processing the phase images obtained measurements of the thickness of the silver deposit of approximately 160 nanometers, with a tolerance of 10 nanometers, which is in agreement with measurements made on the sample in the preceding experiences. Next holograms were taken of a sample containing a thin film of silicon oxide on a crystalline silicon substrate. The phase images processed gave measurements of the thickness of silicon oxide of approximately 90 nanometers, with a tolerance of 10 nanometers, also obtaining graphs of the surface profiles and three-dimensional graphs of the surface topography. Fil: Balducci, Diego Mario Nicolás. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química; Argentina.; Fil: Balducci, Diego Mario Nicolás. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Bioquímica y Ciencias Biológicas; Argentina. Tue, 23 Feb 2021 00:00:00 GMT https://hdl.handle.net/11185/5798 2021-02-23T00:00:00Z https://hdl.handle.net/11185/979 Estudio de la probabilidad de neutralización del ion Ga+ en una superficie de Au Tacca, Marcos Sebastián La dependencia con la temperatura de la fracción de neutros de Ga+ dispersados por una superficie de oro, sumado al carácter no magnético del ion, han inducido a depreciar cualquier efecto de correlación electrónica en el intercambio decarga entre el ion y la superficie durante el proceso de colisión. En este trabajo se muestra que, al contrario de esta suposición, la interacción electrón-electrón en el ion resulta crucial para describir los resultados experimentales. Se realizan tres cálculos diferentes en relación al tratamiento de la correlación electrónica en el marco del modelo de Anderson: un modelo simple sin interacción, una aproximación considerando la fluctuación de espín para los orbitales tratados independientemente, y el cálculo más completo considerando las seis configuraciones posibles para el Ga neutro tratadas de manera correlacionada. A través de un estudio comparativo, se infiere la importancia de los efectos de correlación en el intercambio de carga. Se encuentra que la fracción de neutros medida no puede ser descripta teóricamente, sin incluir interacciones electrón-electrón. Incluir las seis configuraciones espín-orbital como posibles canales de neutralización resulta esencial para una descripción adecuada de la neutralización de iones Ga+ dispersados por una superficie de oro. A través de un análisis de los sistemas Ga/Ag e In/Au, se reafirma que la proximidad de los niveles de un electrón del proyectil al nivel de Fermi de la superficie es un factor determinante de la influencia de la correlación electrónica en la fracción de neutros y su dependencia con la temperatura.; The monotonous increasing with temperature behavior of the neutralization of Ga+ scattered by a gold surface plus the non-magnetic character of the ion, have induced to disregard any important electronic correlation effects in the charge transfer between the ion and the surface in the scattering process. In this work we show that, contrary to this assumption, the electron-electron interaction in the ion is crucial for describing the experimental results. Three approximations are proposed, related to the treatment of the electronic correlation within the Anderson model: a simple, non-interacting particle model, an approximation which takes into account spin fluctuation but considers the orbitals in an independent way, and the most complete calculation which considers the six possible orbital-spin neutral configurations in a correlated way. Through a comparative study, the importance of correlation effects is inferred. It is found that the measured neutral fraction can not be described, without including the electronelectron interactions. In order to include the six spin-orbital configurations as possible charge transfer channels is essential for an accurate description of the neutralization of Ga+ scattered by a gold surface. From an analysis of the Ga/Ag and In/Au systems, it is confirmed that the proximity of the projectile one-electron energy levels to the substrate Fermi level determines the influence of electronic correlation effects on the neutral fraction and its temperature dependence. Fil: Tacca, Marcos Sebastián. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Bioquímica y Ciencias Biológicas, Argentina.; Fil: Tacca, Marcos Sebastián. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química, Argentina. Fri, 22 Sep 2017 00:00:00 GMT https://hdl.handle.net/11185/979 2017-09-22T00:00:00Z https://hdl.handle.net/11185/965 Estudio de la implantación de carbono en Cu(111) como posible método precursor en el crecimiento de grafeno Silva, Carlos En este trabajo se presenta un estudio de muestras carbonáceas crecidas a partir de la deposición estimulada por bombardeo electrónico (EBID), de moléculas de etileno previamente adsorbidas en la superficie de un monocristal de Cu(111). Para la caracterización de las muestras se utilizaron las técnicas de “Espectroscopia de electrones Auger” y “Espectroscopia de pérdida de energía de electrones”. Estas técnicas nos permiten determinar, por un lado, la cantidad relativa de carbono depositado en la superficie, y, por otro lado, que tipo de enlaces carbono-carbono forman los átomos en la superficie. Tanto los espectros Auger como espectros de pérdida de energía de electrones reflejados indican una mayoría de enlaces de tipo sp2 en las estructuras de carbono formadas en la superficie, consistente con la formación de compuestos grafíticos (o grafeno). La forma de línea de ambos espectros (Auger y EELS) obtenidos para las muestras crecidas también están en línea con esta aseveración.; In the present work we study carbonaceous samples grown by electron beam induced deposition (EBID) from ethylene molecules previously adsorbed on a Cu (111) surface. To characterize the samples deposited we made use of "Auger Electron Spectroscopy" and "Electron Energy Loss Spectroscopy". These techniques allow us to determine the relative amount of carbon deposited on the surface, and to establish what type of carbon-carbon bonds form the atoms at the surface. Both, Auger and reflected electron energy loss spectra, indicate a majority of sp2 bonds in the carbon structures formed on the surface, consistent with the formation of a graphitic compound (or graphene). The line shape of both spectra (Auger and EELS) obtained are also in line with this assertion. Fil: Silva, Carlos. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Bioquímica y Ciencias Biológicas; Argentina.; Fil: Silva, Carlos. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química; Argentina. Thu, 03 Aug 2017 00:00:00 GMT https://hdl.handle.net/11185/965 2017-08-03T00:00:00Z